Нидерландская компания ASML сообщила о создании первых образцов полупроводниковых изделий с помощью своего первого литографического сканера со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением и проекционной оптикой с высокой числовой апертурой со значением 0,55 (High-NA EUV). Событие является важной вехой не только для ASML, но и для технологии High-NA EUV в целом. Источник изображения: ASML «Наша High-NA EUV-система в […]
Архивы за день Январь 17th, 2026
ASML создала первый образец полупроводника с применением литографии High-NA EUV
Январь 17th, 2026 
raven000 
Опубликовано в рубрике 
